Будьте всегда в курсе!
Узнавайте о скидках и акциях первым
Новости
Все новости
9 января 2023
Добро пожаловать на наш новый сайт!
30 декабря 2022
С Новым 2023 Годом!
22 ноября 2022
Поворотные DIP-переключатели RUICHI.
ДИОДЫ
Много
Артикул: 64589
6A10 MIC выпрямительный диод 1000 В, 6 А, R-6.
Характеристики
|
7.72 ₽/шт
-
+
|
Достаточно
Артикул: 72334
Диодный мост выпрямительный RUICHI MDQ, 50A, 1800 В
Характеристики
|
1 045.44 ₽/шт
-
+
|
Нет в наличии
Артикул: 72340
Диодный мост выпрямительный RUICHI MDS, 100 А, 1800 В
Характеристики
|
1 244.57 ₽/шт
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
|
Много
Артикул: 119294
Выпрямительный высокоэффективный диод MIC HER108, 1000 В, 1 А, корпус DO-41 |
1.34 ₽/шт
-
+
|
|
0.96 ₽/шт
-
+
|
Достаточно
Артикул: 62495
Диодный силовой полупроводниковый модуль МДД RUICHI, 500 А, 12 класс
Характеристики
|
9 198.01 ₽/шт
-
+
|
Мало
Артикул: 62475
Диодный силовой полупроводниковый модуль RUICHI МДТ800-12 (импорт)
Характеристики
|
10 480.39 ₽/шт
-
+
|
|
1.61 ₽/шт
-
+
|
Нет в наличии
Артикул: 120157
Диод Шоттки MIC MBR3060CT, 60 В, 30 А, корпус TO-220
Характеристики
|
0 ₽
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
|
|
6.51 ₽/шт
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
|
Достаточно
Артикул: 62481
Диодный силовой полупроводниковый модуль МДД RUICHI, 160 12 класс
Характеристики
|
1 580.41 ₽/шт
-
+
|
Много
Артикул: 80831
Быстровосстанавливающийся диод MIC FR302 100 В, 3 А, DO-27
Характеристики
|
5.15 ₽/шт
-
+
|
Много
Артикул: 119865
Быстродействующий диод MIC SF28, 600 В, 2 А, корпус DO-15
Характеристики
|
1.92 ₽/шт
-
+
|
Нет в наличии
Артикул: 64608
HER508 MIC выпрямительный высокоэффективный диод 1000 В, 5 А, DO-27
Характеристики
|
8.58 ₽/шт
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
|
Нет в наличии
Артикул: 80855
1N4148WS MDD малосигнальный переключающий диод; 100 В, 0.3 А, SOD-323.
Характеристики
|
0.34 ₽/шт
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
|
Диод – биполярный полупроводниковый прибор, проводящий ток в одном направлении. Изготавливаются преимущественно из кремния (Si), карбида кремния (SiC), арсенида галлия (GaAs), германия (Ge). Внутренняя структура диода представляет полупроводниковый элемент двух типов проводимости p- и n-типа, в случае с диодом Шоттки имеет место использование одного типа проводимости, а потенциальный барьер образуется за счет перехода "металл - полупроводник".